产品概览
- 产品名称
- SISA18ADN-T1-GE3
- 产品型号
- SISA18ADN-T1-GE3
- 制造商
- VISHAY(威世)
- 产品类别
- MOS(场效应管)
- 产品描述
- N沟道,30V,38.3A,0.0075Ω@10V
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- 数据列表
- SISA18ADN-T1-GE3
产品详情
- 最大功率耗散（Ta） :
- 19.8W(Tc)
- 栅源极阈值电压 :
- 2.4V @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 7.5 mΩ @ 10A,10V
- 漏源电压（Vdss） :
- 30V
- 类型 :
- N 沟道
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 38.3A(Tc)
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Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
Q : 可以提供原厂代理资质证明吗？
A : 中威电子自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
Q : 可以进行线下交易吗？
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
Q : 可以退货吗？
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，中威电子将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
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