MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

75W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/CS4N60A3R 型号：CS4N60A3R 品牌：华润华晶封装：TO-251(I-PAK) 包装：- 描述：N沟道 650V 4A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.2025 10+ ¥0.9026 30+ ¥0.8475 100+ ¥0.7924 500+ ¥0.7680	整包 75 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/SE10030A 型号：SE10030A 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：TO-220 包装：- 描述：N沟道，100V 数据手册	含增值税 1+ ¥3.1920 10+ ¥2.3280 30+ ¥2.1720 100+ ¥2.0040 500+ ¥1.9320	整包 50 个库存：10 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRF630 型号：IRF630 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：TransMOSFET N-CH 200V 9A 数据手册	含增值税 1+ ¥3.5880 10+ ¥2.6640 30+ ¥2.4960 100+ ¥2.3160 500+ ¥2.2440	整包 50 片库存：316 加入购物车提交询价

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