MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

35W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/STP10NK70ZFP 型号：STP10NK70ZFP 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装描述：N沟道700V/8.6A/0.75Ω/TO-220FP带齐纳保护功率MOS管数据手册	含增值税 1+ ¥9.8400 10+ ¥7.2600 30+ ¥6.7800 100+ ¥6.3120 500+ ¥6.0960	整包 50 个库存：79 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/STF26NM60N 型号：STF26NM60N 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装描述：N沟道,600V,20A,165mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥13.2600 10+ ¥9.6840 30+ ¥9.0360 100+ ¥8.3760 500+ ¥8.0880	整包 50 个库存：1,091 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/STP10NK60ZFP 型号：STP10NK60ZFP 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装描述：N沟道,600V,10A,750mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥4.9320 10+ ¥3.6600 30+ ¥3.4320 100+ ¥3.1920 500+ ¥3.0840	整包 50 个库存：1,148 加入购物车提交询价

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