自营库存
原装正品 现货库存- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
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- 栅源极阈值电压：
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- 漏源导通电阻：
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- 最大功率耗散（Ta）：
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- 已选条件：
18 条记录
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描述：N沟道,600V,20A,165mΩ@10V
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含增值税
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描述：N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR
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含增值税
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描述：N沟道,150V,24A,95mΩ@10V
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道,40V,130A,6.5mΩ@4.5V
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含增值税
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描述：N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V
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含增值税
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描述：N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
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含增值税
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含增值税
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描述：N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
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含增值税
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含增值税
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描述：P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
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含增值税
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