MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (7)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

100mW (7)

已选条件：

7 条记录

	MOS(场效应管)/SSM3K15ACT,L3F 型号：SSM3K15ACT,L3F 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SOT-883 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥1.1160 10+ ¥1.0920 30+ ¥1.0680 100+ ¥1.0560	整包 10000 个库存：250 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SSM3K37FS,LF 型号：SSM3K37FS,LF 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SSM 包装：编带描述：N沟道,20V,0.2A,2.2Ω@4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥0.7680 10+ ¥0.7440 30+ ¥0.7320 100+ ¥0.7200	整包 3000 个库存：20 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SSM3K35CT,L3F(T 型号：SSM3K35CT,L3F(T 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：CST3 包装：- 描述：N沟道 20V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.4126 100+ ¥0.3046 300+ ¥0.2848 1000+ ¥0.2650 5000+ ¥0.2562	整包 10000 个库存：40 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/2SK208-Y(TE85L,F) 型号：2SK208-Y(TE85L,F) 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SC-59 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥1.0680 10+ ¥0.8040 30+ ¥0.7560 100+ ¥0.7080 500+ ¥0.6840	整包 3000 个库存：2,045 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/TF2123G-E3-AQ3-R 型号：TF2123G-E3-AQ3-R 品牌：UTC(友顺) 封装：SOT-723 包装：编带描述：N沟道，类型: JFET 数据手册	含增值税 20+ ¥0.2007 200+ ¥0.1491 600+ ¥0.1396 2000+ ¥0.1301 10000+ ¥0.1259	整包 8000 个库存：764 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SSM3K15AFS,LF 型号：SSM3K15AFS,LF 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SSM 包装：编带描述：N沟道,30V,0.1A,3.6Ω@4V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.8306 50+ ¥0.6188 150+ ¥0.5798 500+ ¥0.5409 2500+ ¥0.5236	整包 3000 个库存：676 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/TF2123G-E5-AQ3-R 型号：TF2123G-E5-AQ3-R 品牌：UTC(友顺) 封装：SOT-723 包装：编带描述：N沟道，类型: JFET 数据手册	含增值税 20+ ¥0.2074 200+ ¥0.1546 600+ ¥0.1449 2000+ ¥0.1352 10000+ ¥0.1309	整包 8000 个库存：356 加入购物车提交询价

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