MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

2 个 N 沟道(双) (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

1.5V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

300mW (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/FDG8850NZ 型号：FDG8850NZ 品牌：ON(安森美) 封装：SC-70-6(SOT-363) 包装：编带描述：30V,0.75A N沟道数据手册	含增值税 1+ ¥2.3880 10+ ¥1.7760 30+ ¥1.6680 100+ ¥1.5600 500+ ¥1.5000	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/FDG6335N 型号：FDG6335N 品牌：ON(安森美) 封装：SC-70-6(SOT-363) 包装：编带描述：双N沟道,20V,700mA,300mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.3680 10+ ¥1.0200 30+ ¥0.9600 100+ ¥0.8880 500+ ¥0.8640	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/DMN63D8LDW-7 型号：DMN63D8LDW-7 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-363 包装：- 描述：2个N沟道,30V,220mA,13Ω@2.5V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3574 100+ ¥0.2671 300+ ¥0.2505 1000+ ¥0.2339 5000+ ¥0.2265	整包 3000 个库存：371 加入购物车提交询价

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