自营库存
原装正品 现货库存- 品牌:
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- 连续漏极电流(Id)(25°C 时):
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- 漏源电压(Vdss):
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- 栅源极阈值电压:
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- 漏源导通电阻:
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- 最大功率耗散(Ta):
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77 条记录
描述:MOSFET,N-channel 20V/10V 4A VGS(th)=0.9V 30mΩ@3A&4.5V,SOT-23
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含增值税
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描述:N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2302
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描述:P沟道,-20V,-6A,39mΩ@-4.5V
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描述:8205双N沟导MOS管,20V/6A, 18毫欧低阻产品。
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