MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2.5V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

150W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/SQM50P03-07_GE3 型号：SQM50P03-07_GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：TO-263-2 包装：编带描述：P沟道数据手册	含增值税 1+ ¥23.7120 10+ ¥23.1120 30+ ¥22.7160 100+ ¥22.3320	整包 800 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/UTT18P10L-TN3-R 型号：UTT18P10L-TN3-R 品牌：UTC(友顺) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：P沟道,-100V,-18A,200mΩ@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.7160 10+ ¥1.2840 30+ ¥1.2000 100+ ¥1.1160 500+ ¥1.0800	整包 2500 个库存：2,576 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/STP90NF03L 型号：STP90NF03L 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,30V,90A,6.5mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥3.9000 10+ ¥2.9040 30+ ¥2.7120 100+ ¥2.5320 500+ ¥2.4480	整包 50 只库存：2,844 加入购物车提交询价

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