MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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自营库存

原装正品现货库存

品牌：

类型：

P 沟道 (5)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

30V (5)

栅源极阈值电压：

3V @ 250uA (5)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

750mW (5)

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/SI2307BDS-T1-E3 型号：SI2307BDS-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟 30V 2.5A 数据手册	含增值税 1+ ¥6.3240 10+ ¥6.1560 30+ ¥6.0480 100+ ¥5.9520	整包 3000 个库存：4 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2343DS-T1-GE3 型号：SI2343DS-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥4.4400 10+ ¥4.3320 30+ ¥4.2480 100+ ¥4.1760	整包 3000 个库存：11 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2307BDS-T1-GE3 型号：SI2307BDS-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥6.4320 10+ ¥6.2640 30+ ¥6.1560 100+ ¥6.0480	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/FDG316P 型号：FDG316P 品牌：ON(安森美) 封装：SC70-6 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥2.0520 10+ ¥1.5360 30+ ¥1.4400 100+ ¥1.3440 500+ ¥1.2960	整包 3000 个库存：2,930 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2343DS-T1-E3 型号：SI2343DS-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,-30V,-3.1A,0.053Ω@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥3.0840 10+ ¥2.3040 30+ ¥2.1600 100+ ¥2.0160 500+ ¥1.9560	整包 3000 个库存：4,702 加入购物车提交询价

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