MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

1.3A (3)

漏源电压（Vdss）：

20V (3)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

500mW (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/NDS331N 型号：NDS331N 品牌：ON(安森美) 封装：SSOT-3 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0680 10+ ¥0.7920 30+ ¥0.7320 100+ ¥0.6840 500+ ¥0.6600	整包 3000 个库存：6,247 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/FDN336P 型号：FDN336P 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,-20V,-1.3A,200mΩ@-4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥0.9840 10+ ¥0.7320 30+ ¥0.6840 100+ ¥0.6480 500+ ¥0.6240	整包 3000 个库存：8,547 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/DMN2300UFB4-7B 型号：DMN2300UFB4-7B 品牌：DIODES(美台) 封装：X2-DFN1006-3 包装：编带描述：N沟道,20V,1.3A,175mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0920 10+ ¥0.8160 30+ ¥0.7680 100+ ¥0.7080 500+ ¥0.6840	整包 10000 个库存：9,401 加入购物车提交询价

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