MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

TOSHIBA(东芝) (3)

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

- (3)

漏源导通电阻：

- (3)

最大功率耗散（Ta）：

3W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/2SK3074(TE12L,F) 型号：2SK3074(TE12L,F) 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SC-62 包装：- 描述：RF用途,N沟道,30V,1A 数据手册	含增值税 1+ ¥11.8200 10+ ¥8.6400 30+ ¥8.0640 100+ ¥7.4760 500+ ¥7.2240	整包 1000 个库存：914 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/2SK3475(TE12L,F) 型号：2SK3475(TE12L,F) 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SC-62 包装：- 描述：RF用途,N沟道,20V,1A 数据手册	含增值税 1+ ¥4.8600 10+ ¥3.6120 30+ ¥3.3840 100+ ¥3.1560 500+ ¥3.0480	整包 1000 个库存：849 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/2SK3078A(TE12L,F) 停产型号：2SK3078A(TE12L,F) 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SC-62 包装：- 描述：RF用途,N沟道,10V,0.5A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5600 10+ ¥1.1640 30+ ¥1.0920 100+ ¥1.0200 500+ ¥0.9840	整包 1000 个库存：2,633 加入购物车提交询价

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