MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

156W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/FQP32N20C 型号：FQP32N20C 品牌：ON(安森美) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,200V,28A,82mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥10.8000 10+ ¥10.5240 30+ ¥10.3440 100+ ¥10.1520	整包 100 只库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/SE12N65F 型号：SE12N65F 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥4.4400 10+ ¥3.3000 30+ ¥3.0960 100+ ¥2.8800 500+ ¥2.7960	整包 50 个库存：40 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/KNB3306B 型号：KNB3306B 品牌：KIA 半导体封装：TO-263-2 包装：编带描述：N沟道，60V，80A 数据手册	含增值税 1+ ¥2.5800 10+ ¥1.9200 30+ ¥1.7880 100+ ¥1.6680 500+ ¥1.6200	整包 800 个库存：1,858 加入购物车提交询价

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