MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

2 个 N 沟道(双) (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

60V (3)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

1.6 Ω @ 500mA,10V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/NTJD5121NT2G 型号：NTJD5121NT2G 品牌：ON(安森美) 封装：SC-70-6(SOT-363) 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥1.5000 10+ ¥1.4640 30+ ¥1.4400 100+ ¥1.4160	整包 3000 个库存：114 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/2N7002BKS,115 型号：2N7002BKS,115 品牌：Nexperia(安世) 封装：SOT-363 包装：编带描述：N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.4073 100+ ¥0.3036 300+ ¥0.2846 1000+ ¥0.2656 5000+ ¥0.2571	整包 3000 个库存：849 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTJD5121NT1G 型号：NTJD5121NT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SC-70-6(SOT-363) 包装：编带描述：N沟道,60V,0.295A,2.5Ω@4.5V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3373 100+ ¥0.2514 300+ ¥0.2356 1000+ ¥0.2199 5000+ ¥0.2128	整包 3000 个库存：1,178 加入购物车提交询价

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