MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

20V (2)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

21 mΩ @ 6.3A,4.5V (2)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

2 条记录

	MOS(场效应管)/IRLML6244TRPBF 型号：IRLML6244TRPBF 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道，最大电流6.3A@VGS=4.5V，VDS=20V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.8278 50+ ¥0.6117 150+ ¥0.5720 500+ ¥0.5323 2500+ ¥0.5147	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/WNMD2167-6/TR 型号：WNMD2167-6/TR 品牌：WILLSEMI(韦尔) 封装：SOT-23-6 包装：- 描述：双N沟道，20V,6.3A 数据手册	含增值税 5+ ¥0.9596 50+ ¥0.7197 150+ ¥0.6756 500+ ¥0.6315 2500+ ¥0.6120	整包 3000 个库存：2 加入购物车提交询价

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