MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (5)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

60A(Tc) (5)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

14 mΩ @ 30A,10V (5)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/STB60NF06LT4 型号：STB60NF06LT4 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-263-2 包装：编带描述：N沟道,60V,60A,14mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥13.0080 10+ ¥12.6720 30+ ¥12.4560 100+ ¥12.2280	整包 1000 个库存：2 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/HU60N03 型号：HU60N03 品牌：HL(豪林) 封装：TO-251(I-PAK) 包装：- 描述：N沟道,30V,60A,14mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0680 10+ ¥0.8040 30+ ¥0.7560 100+ ¥0.7080 500+ ¥0.6840	整包 75 个库存：107 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/WSR60N06 型号：WSR60N06 品牌：WINSOK 微硕封装：TO-220 包装：编带描述：N沟道.60V.60A.12mΩ 数据手册	含增值税 1+ ¥2.8800 10+ ¥2.1240 30+ ¥1.9920 100+ ¥1.8480 500+ ¥1.7880	整包 50 个库存：633 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/STP65NF06 型号：STP65NF06 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-220AB 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥6.6120 10+ ¥4.9320 30+ ¥4.6200 100+ ¥4.3080 500+ ¥4.1760	整包 50 个库存：832 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/HD60N03 型号：HD60N03 品牌：HL(豪林) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：- 描述：N沟道,30V,60A,14mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0680 10+ ¥0.8040 30+ ¥0.7560 100+ ¥0.7080 500+ ¥0.6840	整包 2500 个库存：2,540 加入购物车提交询价

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