MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2.5V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

12 mΩ @ 8A,10V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/KIA4706AE 型号：KIA4706AE 品牌：KIA 半导体封装：SOP-8_150mil 包装：编带描述：N沟道，60V，8A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4520 10+ ¥1.0920 30+ ¥1.0200 100+ ¥0.9600 500+ ¥0.9240	整包 2500 个库存：1,401 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/AMS4004SA 型号：AMS4004SA 品牌：Axelite(台湾亚瑟莱特) 封装：SOP-8 包装：- 描述：此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。数据手册	含增值税 1+ ¥1.0053 10+ ¥0.7474 30+ ¥0.7000 100+ ¥0.6526 500+ ¥0.6316	整包 2500 个库存：157 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/UTM6016G-SO8-R 型号：UTM6016G-SO8-R 品牌：UTC(友顺) 封装：SOP-8_150mil 包装：编带描述：N沟道,60V,8A,12mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.6080 10+ ¥1.2000 30+ ¥1.1160 100+ ¥1.0440 500+ ¥1.0080	整包 2500 个库存：10,192 加入购物车提交询价

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