MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

2.5 mΩ @ 50A,10V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/NVD5C632NLT4G 型号：NVD5C632NLT4G 品牌：ON(安森美) 封装：DPAK 包装：编带描述：N沟道 60V 3.4mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥10.4400 10+ ¥7.6440 30+ ¥7.1280 100+ ¥6.6120 500+ ¥6.3840	整包 2500 个库存：13 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SE80250GA 型号：SE80250GA 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥17.3160 10+ ¥12.6360 30+ ¥11.7840 100+ ¥10.9200 500+ ¥10.5360	整包 20 个库存：20 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRFH5302DTRPBF 型号：IRFH5302DTRPBF 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：PQFN 5x6 包装：编带描述：N沟道 30V 29A 数据手册	含增值税 1+ ¥4.5240 10+ ¥3.3600 30+ ¥3.1440 100+ ¥2.9280 500+ ¥2.8320	整包 4000 个库存：3,987 加入购物车提交询价

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