MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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5 条记录

	MOS(场效应管)/NTR4003NT1G 型号：NTR4003NT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道,30V,0.56A,1Ω@4V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3647 100+ ¥0.2716 300+ ¥0.2546 1000+ ¥0.2375 5000+ ¥0.2299	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/NTR4003NT3G 型号：NTR4003NT3G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N 沟道,30V,0.56A,1Ω@4V 数据手册	含增值税 1+ ¥0.7440 10+ ¥0.7320 30+ ¥0.7200 100+ ¥0.7080	整包 10000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/DMN2005LP4K-7 型号：DMN2005LP4K-7 品牌：DIODES(美台) 封装：X2-DFN1006-3 包装：编带描述：N沟道,20V,300mA,1.5Ω@4V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5600 10+ ¥1.5120 30+ ¥1.4880 100+ ¥1.4640	整包 3000 个库存：90 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTJD4001NT1G 型号：NTJD4001NT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-363 包装：编带描述：30V, 250mA, Dual N-Channel 数据手册	含增值税 5+ ¥0.7483 50+ ¥0.5432 150+ ¥0.5056 500+ ¥0.4679 2500+ ¥0.4512	整包 3000 个库存：2,180 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTS4001NT1G 型号：NTS4001NT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-323(SC-70) 包装：编带描述：N沟道,30V,270mA,1.5Ω@4V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.5668 50+ ¥0.4190 150+ ¥0.3918 500+ ¥0.3647 2500+ ¥0.3526	整包 3000 个库存：2,210 加入购物车提交询价

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