MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

120 mΩ @ 1A,4.5V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/NTS4101PT1G 型号：NTS4101PT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-323(SC-70) 包装：编带描述：P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V 数据手册	含增值税 5+ ¥1.9724 50+ ¥1.9213 150+ ¥1.8872 500+ ¥1.8532	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/NX2301P,215 型号：NX2301P,215 品牌：Nexperia(安世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：P沟道,20V,2A 数据手册	含增值税 5+ ¥0.6674 50+ ¥0.4972 150+ ¥0.4659 500+ ¥0.4346 2500+ ¥0.4207	整包 3000 个库存：468 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2301 型号：SI2301 品牌：FM富满封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：10V P 沟道增强型 MOS 场效应管数据手册	含增值税 20+ ¥0.1871 200+ ¥0.1391 600+ ¥0.1303 2000+ ¥0.1215 10000+ ¥0.1176	整包 3000 个库存：1,421 加入购物车提交询价

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