MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (5)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

15 mΩ @ 10A,10V (5)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/AO4485 型号：AO4485 品牌：AOS 封装：SOP-8_150mil 包装：编带描述：P沟道,-40V,-10A,15mΩ@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥2.4360 10+ ¥1.8120 30+ ¥1.6920 100+ ¥1.5840 500+ ¥1.5240	整包 3000 只库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/G16P03-SOP-8 型号：G16P03-SOP-8 品牌：GOFORD(谷峰) 封装：SOP-8 包装：- 描述：P管，-30V,-16A,开启-1.5V,10mΩ(typ)@10V,14mΩ(typ)@-4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5720 10+ ¥1.1760 30+ ¥1.1040 100+ ¥1.0320 500+ ¥0.9960	整包 3000 个库存：49 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SE30P12D 型号：SE30P12D 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：DFN 3x3 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0920 10+ ¥0.8280 30+ ¥0.7680 100+ ¥0.7200 500+ ¥0.6960	整包 5000 个库存：1,080 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SE30P12 型号：SE30P12 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：SOIC-8_150mil 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0920 10+ ¥0.8280 30+ ¥0.7680 100+ ¥0.7200 500+ ¥0.6960	整包 3000 个库存：122 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NCE30P12S 型号：NCE30P12S 品牌：无锡新洁能封装：SOIC-8_150mil 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥1.1880 10+ ¥0.8880 30+ ¥0.8400 100+ ¥0.7800 500+ ¥0.7560	整包 4000 个库存：12,761 加入购物车提交询价

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