MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

1V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

1.5 Ω @ 100mA,4.5V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/NTUD3170NZT5G 型号：NTUD3170NZT5G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-963 包装：编带描述：双N沟道,20V,220mA 数据手册	含增值税 1+ ¥2.0880 10+ ¥2.0280 30+ ¥1.9920 100+ ¥1.9560	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/NTUD3169CZT5G 型号：NTUD3169CZT5G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-963 包装：- 描述：N+P双沟道,20V/0.22A(20V/-0.2A) 数据手册	含增值税 1+ ¥2.1000 10+ ¥1.5600 30+ ¥1.4640 100+ ¥1.3680 500+ ¥1.3200	整包 8000 个库存：7,975 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/DMN31D5UFZ-7B 型号：DMN31D5UFZ-7B 品牌：DIODES(美台) 封装：X2-DFN0606-3 包装：编带描述：N沟道,30V,220mA,1.5Ω@4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥0.9720 10+ ¥0.7200 30+ ¥0.6720 100+ ¥0.6240 500+ ¥0.6120	整包 10000 个库存：9,986 加入购物车提交询价

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