MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

120W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/IRFP044NPBF 型号：IRFP044NPBF 品牌：IR 封装：TO-247(AC) 包装：管装数据手册	含增值税 1+ ¥9.0120 10+ ¥8.7840 30+ ¥8.6280 100+ ¥8.4720	整包 4000 片库存：85 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/FQP50N06 型号：FQP50N06 品牌：ON(安森美) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,60V,50A,22mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥9.1800 10+ ¥6.7800 30+ ¥6.3360 100+ ¥5.8920 500+ ¥5.6880	整包 50 片库存：150 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/KIA4750SD 型号：KIA4750SD 品牌：KIA 半导体封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：环保数据手册	含增值税 1+ ¥2.2440 10+ ¥1.6800 30+ ¥1.5840 100+ ¥1.4760 500+ ¥1.4280	整包 2500 个库存：5,052 加入购物车提交询价

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