自营库存
原装正品 现货库存- 栅源极阈值电压:
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- 漏源导通电阻:
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- 最大功率耗散(Ta):
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8 条记录
描述:N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR
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含增值税
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描述:N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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含增值税
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描述:N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
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含增值税
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含增值税
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描述:P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
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含增值税
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