MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

520W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/SE150180GTS 型号：SE150180GTS 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：TO-247S 包装：- 描述：N沟道 150V 164A 数据手册	含增值税 1+ ¥20.7840 10+ ¥15.0840 30+ ¥14.0400 100+ ¥12.9960 500+ ¥12.5280	整包 30 个库存：15 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRFP4368PBF 型号：IRFP4368PBF 品牌：IR 封装：TO-247(AC) 包装：管装描述：N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥26.7240 10+ ¥22.9920 30+ ¥22.2960 100+ ¥21.6120 500+ ¥21.3120	整包 25 片库存：781 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRFP4468PBF 型号：IRFP4468PBF 品牌：IR 封装：TO-247(AC) 包装：管装描述：N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥24.6960 10+ ¥21.3360 30+ ¥20.7240 100+ ¥20.1120 500+ ¥19.8360	整包 25 片库存：3,220 加入购物车提交询价

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