MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (4)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

90A (4)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (4)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

4 条记录

	MOS(场效应管)/SE8090A 型号：SE8090A 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥3.7440 10+ ¥2.7840 30+ ¥2.6160 100+ ¥2.4360 500+ ¥2.3520	整包 50 个库存：88 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NCE7190A 型号：NCE7190A 品牌：无锡新洁能封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道数据手册	含增值税 1+ ¥2.2680 10+ ¥1.7400	整包 50 个库存：226 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/HY1908B 型号：HY1908B 品牌：HY(华羿) 封装：TO-263-2 包装：管装描述：N沟道数据手册	含增值税 1+ ¥2.8440 10+ ¥2.1000 30+ ¥1.9560 100+ ¥1.8240 500+ ¥1.7640	整包 50 个库存：350 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/HY1908D 型号：HY1908D 品牌：HY(华羿) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610 数据手册	含增值税 1+ ¥2.3280 10+ ¥1.7280 30+ ¥1.6200 100+ ¥1.5120 500+ ¥1.4640	整包 2500 个库存：1,630 加入购物车提交询价

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