MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

60V (3)

栅源极阈值电压：

3V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

350mW (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/TP0610K-T1-GE3 型号：TP0610K-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：P沟道,-60V,-185mA,6Ω@-10V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.6293 50+ ¥0.4645 150+ ¥0.4342 500+ ¥0.4040 2500+ ¥0.3905	整包 3000 个库存：262 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/TP0610K-T1-E3 型号：TP0610K-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：MOSFETP-CH60V185MASOT23-3 数据手册	含增值税 1+ ¥2.4960 10+ ¥1.8600 30+ ¥1.7400 100+ ¥1.6200 500+ ¥1.5600	整包 3000 个库存：4,412 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/UT3N06G-AE3-R 型号：UT3N06G-AE3-R 品牌：UTC(友顺) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：N沟道,60V,3A,90mΩ@10V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.4667 100+ ¥0.3467 300+ ¥0.3247 1000+ ¥0.3026 5000+ ¥0.2929	整包 3000 个库存：2,526 加入购物车提交询价

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