MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2V @ 1mA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

1W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/SSM3J356R,LF 型号：SSM3J356R,LF 品牌：TOSHIBA(东芝) 封装：SOT-23F 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥1.1400 10+ ¥1.1160 30+ ¥1.0920 100+ ¥1.0800	整包 3000 个库存：5 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/RTR025P02FRATL 型号：RTR025P02FRATL 品牌：ROHM(罗姆) 封装：TSMT3 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥1.8240 10+ ¥1.3560 30+ ¥1.2720 100+ ¥1.1880 500+ ¥1.1520	整包 3000 个库存：2,990 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/RTR030P02TL 型号：RTR030P02TL 品牌：ROHM(罗姆) 封装：TSMT-3 包装：编带描述：P沟道,-20V,-3.0A,75mΩ@-4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.1400 10+ ¥0.8400 30+ ¥0.7920 100+ ¥0.7440 500+ ¥0.7200	整包 3000 个库存：2,919 加入购物车提交询价

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