MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

- (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

1W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/DN2540N3-G 型号：DN2540N3-G 品牌：MICROCHIP(美国微芯) 封装：TO-92(TO-92-3) 包装：袋装描述：耗尽型MOS管，N沟道,400V,120mA,25Ω@0V 数据手册	含增值税 1+ ¥5.4360 10+ ¥5.2920 30+ ¥5.1960 100+ ¥5.1120	整包 1000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/RSR025P03TL 型号：RSR025P03TL 品牌：ROHM(罗姆) 封装：TSMT3 包装：编带数据手册	含增值税 10+ ¥0.3242 100+ ¥0.2412 300+ ¥0.2260 1000+ ¥0.2107 5000+ ¥0.2039	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/SFT1342-TL-W 型号：SFT1342-TL-W 品牌：ON(安森美) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：- 描述：P沟道,-60V,-12A,62mΩ@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥8.5800 10+ ¥8.3640 30+ ¥8.2200 100+ ¥8.0760	整包 700 个库存：2 加入购物车提交询价

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