MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2.1V @ 250uA (5)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/CSD87351Q5D 型号：CSD87351Q5D 品牌：TI(德州仪器) 封装：LSON-8 包装：编带描述：2个N沟道（双）数据手册	含增值税 1+ ¥20.9880 10+ ¥20.4480 30+ ¥20.0880 100+ ¥19.7280	整包 2500 个库存：10 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CSD87330Q3D 型号：CSD87330Q3D 品牌：TI(德州仪器) 封装：LSON-CLIP-8 包装：编带描述：同步降压 NexFET 电源模块数据手册	含增值税 1+ ¥15.7440 10+ ¥15.3360 30+ ¥15.0720 100+ ¥14.8080	整包 2500 个库存：10 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CSD86360Q5D 型号：CSD86360Q5D 品牌：TI(德州仪器) 封装：LSON-CLIP-8 包装：编带描述：同步降压 NexFET? 电源块数据手册	含增值税 1+ ¥23.8440 10+ ¥23.2440 30+ ¥22.8360 100+ ¥22.4280	整包 2500 个库存：10 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CSD87350Q5D 型号：CSD87350Q5D 品牌：TI(德州仪器) 封装：LSON-8 包装：编带描述：2个N沟道（双）数据手册	含增值税 1+ ¥14.2920 10+ ¥10.3200 30+ ¥9.5880 100+ ¥8.8680 500+ ¥8.5440	整包 2500 个库存：283 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CSD86330Q3D 型号：CSD86330Q3D 品牌：TI(德州仪器) 封装：LSON-8 包装：编带描述：同步降压 NexFET? 电源块 MOSFET 对数据手册	含增值税 1+ ¥10.2360 10+ ¥7.5480 30+ ¥7.0560 100+ ¥6.5640 500+ ¥6.3480	整包 2500 个库存：2,508 加入购物车提交询价

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