MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (6)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

4A(Tc) (6)

漏源电压（Vdss）：

650V (6)

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (6)

漏源导通电阻：

2.5 Ω @ 2A,10V (6)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

6 条记录

	MOS(场效应管)/CS4N65A8HD 型号：CS4N65A8HD 品牌：华润华晶封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,650V,4A,2Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.8360 10+ ¥1.3800 30+ ¥1.2960 100+ ¥1.2120 500+ ¥1.1640	整包 50 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/PSA04N65B 型号：PSA04N65B 品牌：PIP(丽隽) 封装：TO-220F 包装：- 描述：N沟道,650V,4A,1.9?10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4597 10+ ¥1.0998 30+ ¥1.0337 100+ ¥0.9676 500+ ¥0.9382	整包 50 个库存：13 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/KND4365A 型号：KND4365A 品牌：KIA 半导体封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道，650V，4A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.2025 10+ ¥0.9026 30+ ¥0.8475 100+ ¥0.7924 500+ ¥0.7680	整包 2500 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CS4N65A3HD 型号：CS4N65A3HD 品牌：华润华晶封装：TO-251(I-PAK) 包装：管装描述：N沟道 650V 4A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5720 10+ ¥1.1760 30+ ¥1.1040 100+ ¥1.0320 500+ ¥0.9960	整包 100 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CS4N65FA9HD 型号：CS4N65FA9HD 品牌：华润华晶封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装数据手册	含增值税 1+ ¥1.9680 10+ ¥1.4880 30+ ¥1.3920 100+ ¥1.3080 500+ ¥1.2600	整包 50 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/PSD04N65B 型号：PSD04N65B 品牌：PIP(丽隽) 封装：TO-252 包装：- 描述：N沟道,650V,1.9?@10V,4.0A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.1725 10+ ¥0.8846 30+ ¥0.8318 100+ ¥0.7789 500+ ¥0.7554	整包 2500 个库存：2,480 加入购物车提交询价

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