MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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自营库存

原装正品现货库存

品牌：

类型：

N 沟道 (5)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

9A(Tc) (5)

漏源电压（Vdss）：

200V (5)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

83W(Tc) (5)

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/KND4820A 停产型号：KND4820A 品牌：KIA 半导体封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道，200V，9A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.3299 10+ ¥1.0001 30+ ¥0.9395 100+ ¥0.8789 500+ ¥0.8520	整包 2500 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/630A-251 型号：630A-251 品牌：GOFORD(谷峰) 封装：TO-251(I-PAK) 包装：- 描述：N沟道,200V,9A,0.21Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.8840 10+ ¥1.4160 30+ ¥1.3320 100+ ¥1.2480 500+ ¥1.2000	整包 72 个库存：96 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/630A-252 型号：630A-252 品牌：GOFORD(谷峰) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：- 描述：N沟道,200V,9A,0.21Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.8840 10+ ¥1.4160 30+ ¥1.3320 100+ ¥1.2480 500+ ¥1.2000	整包 2500 个库存：358 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/KIA4820NP 型号：KIA4820NP 品牌：KIA 半导体封装：TO-220(TO-220-3) 包装：盒装描述：N沟道，200V，9A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.7400 10+ ¥1.3080 30+ ¥1.2240 100+ ¥1.1400 500+ ¥1.1040	整包 1000 个库存：465 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/WSF09N20 型号：WSF09N20 品牌：WINSOK 微硕封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道.200V.9A.210mΩ 数据手册	含增值税 1+ ¥2.1600 10+ ¥1.6080 30+ ¥1.5000 100+ ¥1.4040 500+ ¥1.3560	整包 2500 个库存：4,153 加入购物车提交询价

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