MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

60V (3)

栅源极阈值电压：

2.5V @ 1mA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

350mW (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/2N7002K 型号：2N7002K 品牌：KEXIN(科信) 封装：SOT23 包装：- 描述：N沟道,60V 0.3A 数据手册	含增值税 20+ ¥0.1257 200+ ¥0.0927 600+ ¥0.0866 2000+ ¥0.0806 10000+ ¥0.0779	整包 3000 个库存：95 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/2N7002K-TP 型号：2N7002K-TP 品牌：MCC(美微科) 封装：SOT-23 包装：- 描述：N沟道数据手册	含增值税 10+ ¥0.2810 100+ ¥0.2121 300+ ¥0.1994 1000+ ¥0.1867 5000+ ¥0.1811	整包 3000 个库存：241 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/DMN601K-7 型号：DMN601K-7 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 数据手册	含增值税 20+ ¥0.2033 200+ ¥0.1514 600+ ¥0.1419 2000+ ¥0.1323 10000+ ¥0.1281	整包 3000 个库存：160 加入购物车提交询价

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