MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

20V (3)

栅源极阈值电压：

1V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

9.5 mΩ @ 10A,4.5V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/SED8840 型号：SED8840 品牌：SINO-IC(光宇睿芯) 封装：DFN5x2 包装：- 描述：N沟道，20V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.8854 50+ ¥0.6455 150+ ¥0.6014 500+ ¥0.5573 2500+ ¥0.5377	整包 2500 个库存：500 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/AON5820 型号：AON5820 品牌：AOS 封装：DFN 2x5 包装：编带描述：双N沟 20V 10A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4520 10+ ¥1.0800 30+ ¥1.0080 100+ ¥0.9360 500+ ¥0.9120	整包 5000 个库存：4,038 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/DMN2011UFX-7 型号：DMN2011UFX-7 品牌：DIODES(美台) 封装：V-DFN2050-4 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥3.6120 10+ ¥2.6640 30+ ¥2.4840 100+ ¥2.3160 500+ ¥2.2320	整包 3000 个库存：6,000 加入购物车提交询价

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