MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

31W(Tc) (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/SI5411EDU-T1-GE3 型号：SI5411EDU-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：PowerPAK ChipFET 包装：编带描述：P沟道,-12V,-25A,0.0082Ω@-4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥6.7680 10+ ¥6.6000 30+ ¥6.4800 100+ ¥6.3720	整包 3000 个库存：6 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI5419DU-T1-GE3 型号：SI5419DU-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：PowerPAK ChipFET 包装：编带描述：P沟道,-30V,-12A,0.020Ω@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥6.6120 10+ ¥6.4440 30+ ¥6.3360 100+ ¥6.2160	整包 3000 个库存：20 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CEU6861 型号：CEU6861 品牌：CET(华瑞) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：P沟道,60V,12A,132mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥2.1600 10+ ¥1.6200 30+ ¥1.5120 100+ ¥1.4160 500+ ¥1.3680	整包 2500 个库存：2,213 加入购物车提交询价

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