MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (4)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

180 mΩ @ 1.5A,10V (4)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

4 条记录

	MOS(场效应管)/TPS1100DR 型号：TPS1100DR 品牌：TI(德州仪器) 封装：SOP-8_150mil 包装：编带描述：P沟道,-15V,-1.6A,180mΩ@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥9.5640 10+ ¥7.0200 30+ ¥6.5520 100+ ¥6.0960 500+ ¥5.8800	整包 2500 片库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/NVR1P02T1G 型号：NVR1P02T1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P 沟道,-20V,-1A,-148mΩ@-1V 数据手册	含增值税 1+ ¥3.0000 10+ ¥2.9280 30+ ¥2.8680 100+ ¥2.8200	整包 3000 个库存：14 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTR1P02T1G 型号：NTR1P02T1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟 20V 1A 数据手册	含增值税 5+ ¥0.7676 50+ ¥0.5687 150+ ¥0.5322 500+ ¥0.4957 2500+ ¥0.4795	整包 3000 个库存：325 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/UT2955G-AA3-R 型号：UT2955G-AA3-R 品牌：UTC(友顺) 封装：SOT-223 包装：编带描述：P沟道数据手册	含增值税 1+ ¥1.1760 10+ ¥0.8760 30+ ¥0.8280 100+ ¥0.7680 500+ ¥0.7440	整包 2500 个库存：3,558 加入购物车提交询价

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