MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

电源芯片 (10101)

逻辑芯片 (3070)

存储器 (1065)

模拟芯片 (1480)

电阻 (54185)

电容 (24226)

功能模块 (736)

二极管 (14613)

传感器 (1324)

放大器、线性器件 (2996)

接口芯片 (2040)

开发板/方案验证板 (284)

处理器及微控制器 (3241)

嵌入式外围芯片 (946)

射频/无线电 (478)

驱动器 (1915)

电路板DIY专区/书籍 (1)

PCB设计书籍 (1)

晶体管 (8815)

电感/扼流圈/变压器 (15329)

晶振 (3706)

蜂鸣器/扬声器/咪头 (610)

保险丝 (3442)

按键开关/继电器 (4807)

光耦/发光管/红外 (3438)

线材/焊接材料 (463)

连接器 (12503)

五金类/其他 (455)

电源电池 (156)

工具/辅材 (1258)

滤波器 (2620)

库存1 (41184)

库存2 (42233)

库存3 (14906)

库存4 (5534)

免费赠品区 (14)

自营库存

原装正品现货库存

品牌：

类型：

P 沟道 (5)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

30V (5)

栅源极阈值电压：

3V @ 250uA (5)

漏源导通电阻：

78 mΩ @ 3.2A,10V (5)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/SI2307BDS-T1-E3 型号：SI2307BDS-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟 30V 2.5A 数据手册	含增值税 1+ ¥6.3240 10+ ¥6.1560 30+ ¥6.0480 100+ ¥5.9520	整包 3000 个库存：4 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2307BDS-T1-GE3 型号：SI2307BDS-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥6.4320 10+ ¥6.2640 30+ ¥6.1560 100+ ¥6.0480	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CES2307A 型号：CES2307A 品牌：CET(华瑞) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,30V,3.2A,78mΩ@10V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.5127 50+ ¥0.3808 150+ ¥0.3566 500+ ¥0.3323 2500+ ¥0.3216	整包 3000 个库存：504 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CES2307 型号：CES2307 品牌：CET(华瑞) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,30V,3.2A,78mΩ@10V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.5844 50+ ¥0.4345 150+ ¥0.4069 500+ ¥0.3794 2500+ ¥0.3672	整包 3000 个库存：529 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CEN2307A 型号：CEN2307A 品牌：CET(华瑞) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：P沟道,-30V, -3.2A,120m?@-4.5V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.4204 100+ ¥0.3124 300+ ¥0.2926 1000+ ¥0.2728 5000+ ¥0.2640	整包 3000 个库存：296 加入购物车提交询价

北京市海淀区中关村大街32号老中发628室

Copyright © 北京中天恒威科技有限公司京ICP备19054207号-1