MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

1.6A (3)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

3V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/FDG316P 型号：FDG316P 品牌：ON(安森美) 封装：SC70-6 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥2.0520 10+ ¥1.5360 30+ ¥1.4400 100+ ¥1.3440 500+ ¥1.2960	整包 3000 个库存：2,930 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/Si2309CDS-T1-GE3 型号：Si2309CDS-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,-60V,-1.6A,345mΩ@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4280 10+ ¥1.0560 30+ ¥0.9960 100+ ¥0.9240 500+ ¥0.9000	整包 3000 支库存：42,500 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/AS2309 型号：AS2309 品牌：AnBon(台湾安邦) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：P沟道,-60V,-1.6A,250mΩ@-10V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.4773 50+ ¥0.3545 150+ ¥0.3319 500+ ¥0.3094 2500+ ¥0.2993	整包 3000 个库存：1,287 加入购物车提交询价

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