MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

1.4V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

1.1W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/LP2307LT1G 型号：LP2307LT1G 品牌：LRC(乐山无线电) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道 -16V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3587 100+ ¥0.2658 300+ ¥0.2487 1000+ ¥0.2316 5000+ ¥0.2240	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/P-MOS -20V -4.5A 53mΩ@-10V 型号：SM2305SRL 品牌：SPS(美国源芯) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：- 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3653 100+ ¥0.2753 300+ ¥0.2588 1000+ ¥0.2423 5000+ ¥0.2349	整包 3000 个库存：173 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/AS3403 型号：AS3403 品牌：AnBon(台湾安邦) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.4011 100+ ¥0.2982 300+ ¥0.2793 1000+ ¥0.2604 5000+ ¥0.2520	整包 3000 个库存：277 加入购物车提交询价

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