MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

333W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/FDB075N15A 型号：FDB075N15A 品牌：ON(安森美) 封装：TO-263-2 包装：编带描述：N沟道,150V,130A,7.5mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥17.9640 10+ ¥13.1400 30+ ¥12.2520 100+ ¥11.3640 500+ ¥10.9680	整包 800 片库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/KNH8150A 型号：KNH8150A 品牌：KIA 半导体封装：TO-3P 包装：盒装描述：N沟道 30A 500V 数据手册	含增值税 1+ ¥7.9440 10+ ¥5.8440 30+ ¥5.4600 100+ ¥5.0640 500+ ¥4.8960	整包 30 个库存：244 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRF1404PBF 型号：IRF1404PBF 品牌：IR 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,40V,202A,4mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥7.5840 10+ ¥5.5920 30+ ¥5.2200 100+ ¥4.8480 500+ ¥4.6920	整包 50 只库存：4,494 加入购物车提交询价

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