MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

100V (3)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

220 mΩ @ 1.6A,10V (3)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/DMN10H220LE-13 型号：DMN10H220LE-13 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-223 包装：- 描述：N沟道数据手册	含增值税 1+ ¥1.5120 10+ ¥1.1280 30+ ¥1.0560 100+ ¥0.9840 500+ ¥0.9480	整包 2500 个库存：976 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/DMN10H220L-7 型号：DMN10H220L-7 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道,100V 1.3A(250mΩ)@4.5V 1.6A(220mΩ)@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4520 10+ ¥1.0560 30+ ¥0.9840 100+ ¥0.9120 500+ ¥0.8880	整包 3000 个库存：1,507 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRLML0100TRPBF 型号：IRLML0100TRPBF 品牌：IR 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.1400 10+ ¥0.8520 30+ ¥0.8040 100+ ¥0.7440 500+ ¥0.7200	整包 3000 个库存：2,415 加入购物车提交询价

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