MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

3.8W (3)

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/IRL530NSTRLPBF 型号：IRL530NSTRLPBF 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-263-2 包装：编带描述：N沟道,100V,17A,100mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥11.8680 10+ ¥11.5680 30+ ¥11.3640 100+ ¥11.1600	整包 800 个库存：9 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRLZ44NPBF 型号：IRLZ44NPBF 品牌：IR 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,55V,47A,22mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥5.5080 10+ ¥4.0920 30+ ¥3.8280 100+ ¥3.5760 500+ ¥3.4560	整包 50 只库存：298 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTMFS5C430NLT1G 型号：NTMFS5C430NLT1G 品牌：ON(安森美) 封装：DFN-5 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥4.6920 10+ ¥3.3960 30+ ¥3.1680 100+ ¥2.9280 500+ ¥2.8200	整包 1500 个库存：1,230 加入购物车提交询价

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