MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

6A (3)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2.5V @ 250uA (3)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/NCE0106Z 型号：NCE0106Z 品牌：无锡新洁能封装：TO-92(TO-92-3) 包装：- 描述：N沟道，100V,6A,小于140毫欧数据手册	含增值税 5+ ¥0.5935 50+ ¥0.4405 150+ ¥0.4124 500+ ¥0.3844 2500+ ¥0.3719	整包 1000 个库存：607 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/UTT4850G-S08-R 型号：UTT4850G-S08-R 品牌：UTC(友顺) 封装：SOP-8_150mil 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5960 10+ ¥1.1880 30+ ¥1.1160 100+ ¥1.0440 500+ ¥1.0080	整包 2500 个库存：4,835 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NCE0106R 型号：NCE0106R 品牌：无锡新洁能封装：SOT-223 包装：- 描述：N沟道，100V,6A,小于140毫欧，数据手册	含增值税 5+ ¥0.8549 50+ ¥0.6364 150+ ¥0.5963 500+ ¥0.5562 2500+ ¥0.5383	整包 2500 个库存：2,663 加入购物车提交询价

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