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自营库存

原装正品 现货库存
品牌：
类型：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
漏源电压（Vdss）：
栅源极阈值电压：
漏源导通电阻：
最大功率耗散（Ta）：
已选条件：
70 条记录
SI4936ADY-T1-E3
MOS(场效应管)/SI4936ADY-T1-E3
  • 型号：SI4936ADY-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥21.8880
10+
¥21.3360
30+
¥20.9520
100+
¥20.5800
整包 2500 个
库存：7
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SI5902BDC-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI5902BDC-T1-GE3
  • 型号：SI5902BDC-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：1206-8 ChipFET
  • 包装：编带
描述：双N沟道,30V,4A,0.065Ω@10V
数据手册
含增值税
1+
¥14.3880
10+
¥14.0280
30+
¥13.7760
100+
¥13.5360
整包 3000 个
库存：7
加入购物车 提交询价
BSC0921NDIATMA1
MOS(场效应管)/BSC0921NDIATMA1
描述：两个N沟道,30V,17A
数据手册
含增值税
1+
¥14.2200
10+
¥13.8600
30+
¥13.6080
100+
¥13.3680
整包 5000 个
库存：7
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CSD87351Q5D
MOS(场效应管)/CSD87351Q5D
  • 型号：CSD87351Q5D
  • 品牌：TI(德州仪器)
  • 封装：LSON-8
  • 包装：编带
描述：2个N沟道（双）
数据手册
含增值税
1+
¥20.9880
10+
¥20.4480
30+
¥20.0880
100+
¥19.7280
整包 2500 个
库存：10
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FDG8850NZ
MOS(场效应管)/FDG8850NZ
  • 型号：FDG8850NZ
  • 品牌：ON(安森美)
  • 封装：SC-70-6(SOT-363)
  • 包装：编带
描述：30V,0.75A N沟道
数据手册
含增值税
1+
¥2.3880
10+
¥1.7760
30+
¥1.6680
100+
¥1.5600
500+
¥1.5000
整包 3000 个
库存：0
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AO6802
MOS(场效应管)/AO6802
  • 型号：AO6802
  • 品牌：AOS
  • 封装：TSOP-6
  • 包装：编带
描述：N沟道,30V,3.5A,50mΩ@10V
数据手册
含增值税
5+
¥1.2963
50+
¥0.9638
150+
¥0.9027
500+
¥0.8416
2500+
¥0.8145
整包 3000 只
库存：0
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FDMC8200S
MOS(场效应管)/FDMC8200S
  • 型号：FDMC8200S
  • 品牌：ON(安森美)
  • 封装：Power33-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥3.9600
10+
¥2.9400
30+
¥2.7600
100+
¥2.5680
500+
¥2.4840
整包 3000 个
库存：0
提交询价
SM4818PRL
MOS(场效应管)/SM4818PRL
描述：-
数据手册
含增值税
1+
¥1.9080
10+
¥1.4400
30+
¥1.3560
100+
¥1.2720
500+
¥1.2360
整包 2500 个
库存：3
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CSD87335Q3DT
MOS(场效应管)/CSD87335Q3DT
  • 型号：CSD87335Q3DT
  • 品牌：TI(德州仪器)
  • 封装：LSON-8
  • 包装：编带
描述：MOS管阵列
数据手册
含增值税
1+
¥16.5840
10+
¥16.1640
30+
¥15.8760
100+
¥15.5880
整包 250 个
库存：6
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AOE6930
MOS(场效应管)/AOE6930
  • 型号：AOE6930
  • 品牌：AOS
  • 封装：DFN 5x6E
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥11.3640
10+
¥8.3040
30+
¥7.7520
100+
¥7.1880
500+
¥6.9360
整包 3000 个
库存：2
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FDS6930B
MOS(场效应管)/FDS6930B
  • 型号：FDS6930B
  • 品牌：ON(安森美)
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
描述：N沟道,30V,5.5A,38mΩ@10V
数据手册
含增值税
1+
¥6.0720
10+
¥5.9160
30+
¥5.8200
100+
¥5.7120
整包 2500 个
库存：2
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SI7212DN-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI7212DN-T1-GE3
  • 型号：SI7212DN-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥13.2120
10+
¥12.8640
30+
¥12.6480
100+
¥12.4200
整包 3000 个
库存：15
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AO4818
MOS(场效应管)/AO4818
  • 型号：AO4818
  • 品牌：AOS
  • 封装：SOIC-8_150mil
  • 包装：编带
描述：N沟道,30V,8A,19mΩ@10V
数据手册
含增值税
1+
¥1.8000
10+
¥1.3320
30+
¥1.2480
100+
¥1.1640
500+
¥1.1280
整包 3000 个
库存：16
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SI7218DN-T1-E3
MOS(场效应管)/SI7218DN-T1-E3
  • 型号：SI7218DN-T1-E3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：PowerPAK 1212-8
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥10.2360
10+
¥9.9720
30+
¥9.8040
100+
¥9.6240
整包 3000 个
库存：9
加入购物车 提交询价
CSD87384MT
MOS(场效应管)/CSD87384MT
描述：同步降压 NexFET 电源块
数据手册
含增值税
1+
¥12.9000
10+
¥12.5760
30+
¥12.3600
100+
¥12.1320
整包 250 个
库存：23
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CSD87333Q3D
MOS(场效应管)/CSD87333Q3D
  • 型号：CSD87333Q3D
  • 品牌：TI(德州仪器)
  • 封装：VSON-CLIP-8
  • 包装：编带
描述：MOSFET2N-CH30V15A8SON
数据手册
含增值税
1+
¥12.1080
10+
¥11.7960
30+
¥11.5920
100+
¥11.3760
整包 2500 个
库存：10
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SI5936DU-T1-GE3
MOS(场效应管)/SI5936DU-T1-GE3
  • 型号：SI5936DU-T1-GE3
  • 品牌：VISHAY(威世)
  • 封装：SMD
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
1+
¥6.4440
10+
¥6.2760
30+
¥6.1680
100+
¥6.0600
整包 3000 个
库存：25
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NVLJD4007NZTAG
MOS(场效应管)/NVLJD4007NZTAG
  • 型号：NVLJD4007NZTAG
  • 品牌：ON(安森美)
  • 封装：WDFN-6
  • 包装：编带
描述：N 沟道,30V,254mA,1.4Ω@4.5V
数据手册
含增值税
1+
¥4.9800
10+
¥4.8600
30+
¥4.7760
100+
¥4.6920
整包 3000 个
库存：25
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NX3020NAKS,115
MOS(场效应管)/NX3020NAKS,115
  • 型号：NX3020NAKS,115
  • 品牌：Nexperia(安世)
  • 封装：SC-70-6(SOT-363)
  • 包装：编带
数据手册
含增值税
5+
¥0.8219
50+
¥0.6120
150+
¥0.5734
500+
¥0.5349
2500+
¥0.5178
整包 3000 个
库存：3
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NTHD4502NT1G
MOS(场效应管)/NTHD4502NT1G
  • 型号：NTHD4502NT1G
  • 品牌：ON(安森美)
  • 封装：ChipFET
  • 包装：编带
描述：双N 沟道,30V,3.9A,80mΩ@10V
数据手册
含增值税
1+
¥6.5880
10+
¥6.4200
30+
¥6.3000
100+
¥6.1920
整包 3000 个
库存：50
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