MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

5.9A (3)

漏源电压（Vdss）：

30V (3)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/SI4346DY-T1-E3 型号：SI4346DY-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOIC-8_150mil 包装：编带描述：N沟道,30V,5.9A,0.023Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥7.1880 10+ ¥7.0080 30+ ¥6.8880 100+ ¥6.7560	整包 2500 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CSD17585F5 型号：CSD17585F5 品牌：TI(德州仪器) 封装：Picostar-3 包装：- 描述：N沟道,30V,5.9A,27mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.8240 10+ ¥1.3680 30+ ¥1.2960 100+ ¥1.2120 500+ ¥1.1760	整包 3000 个库存：2,905 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2343CDS-T1-GE3 型号：SI2343CDS-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,-30V,-4A,53mΩ@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥0.9480 10+ ¥0.7080 30+ ¥0.6600 100+ ¥0.6120 500+ ¥0.6000	整包 3000 个库存：2,998 加入购物车提交询价

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