MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (9)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

17A (9)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2V @ 250uA (9)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

9 条记录

	MOS(场效应管)/NTMFS5C670NLT3G 型号：NTMFS5C670NLT3G 品牌：ON(安森美) 封装：DFN-5 包装：编带描述：N沟道,60V,17A(TA)/71A(TC) 数据手册	含增值税 1+ ¥3.9960 10+ ¥2.9760 30+ ¥2.7840 100+ ¥2.5920 500+ ¥2.5080	整包 5000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/IRL530NPBF 型号：IRL530NPBF 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,100V,17A,100mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥6.1320 10+ ¥5.9760 30+ ¥5.8680 100+ ¥5.7600	整包 50 个库存：12 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NVMFS5C670NLT3G 型号：NVMFS5C670NLT3G 品牌：ON(安森美) 封装：DFN-5 包装：编带描述：N沟道,60V,71A 数据手册	含增值税 1+ ¥4.4880 10+ ¥3.3360 30+ ¥3.1320 100+ ¥2.9160 500+ ¥2.8200	整包 1600 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/NVMFS5C670NLT1G 型号：NVMFS5C670NLT1G 品牌：ON(安森美) 封装：DFN-5 包装：编带描述：N沟道,60V,71A 数据手册	含增值税 1+ ¥4.4400 10+ ¥3.3000 30+ ¥3.0960 100+ ¥2.8800 500+ ¥2.7960	整包 1500 个库存：2 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTMFS5C670NLT1G 型号：NTMFS5C670NLT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SO-8 FL 包装：编带描述：1400pF 超低输入电容,N沟道,60V,71A,6.1mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥7.0440 10+ ¥5.1360 30+ ¥4.7760 100+ ¥4.4280 500+ ¥4.2720	整包 1500 个库存：441 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRL530NSTRLPBF 型号：IRL530NSTRLPBF 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-263-2 包装：编带描述：N沟道,100V,17A,100mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥11.8680 10+ ¥11.5680 30+ ¥11.3640 100+ ¥11.1600	整包 800 个库存：9 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRLU024NPBF 型号：IRLU024NPBF 品牌：IR 封装：TO-251(I-PAK) 包装：管装描述：N沟道,55V,17A,65mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥3.2160 10+ ¥2.3880 30+ ¥2.2440 100+ ¥2.0880 500+ ¥2.0160	整包 75 片库存：1,281 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRLR3410TRPBF 型号：IRLR3410TRPBF 品牌：IR 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道,100V,17A,105mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥3.2400 10+ ¥2.4120 30+ ¥2.2560 100+ ¥2.1000 500+ ¥2.0280	整包 2000 片库存：5,161 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRLR024NTRPBF 型号：IRLR024NTRPBF 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道,55V,17A,65mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥2.4600 10+ ¥1.8240 30+ ¥1.7040 100+ ¥1.5960 500+ ¥1.5360	整包 2000 片库存：9,905 加入购物车提交询价

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