MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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	MOS(场效应管)/SI4464DY-T1-GE3 型号：SI4464DY-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOIC-8_150mil 包装：编带数据手册	含增值税 1+ ¥11.3280 10+ ¥11.0400 30+ ¥10.8480 100+ ¥10.6560	整包 2500 个库存：4 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/ZXMN10A11GTA 型号：ZXMN10A11GTA 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-223 包装：编带描述：N沟道,100V,1.9A,0.35Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.8720 10+ ¥1.3920 30+ ¥1.3080 100+ ¥1.2120 500+ ¥1.1760	整包 1000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/ZXM61N02FTA 型号：ZXM61N02FTA 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道,20V,1.7A,180mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.9276 50+ ¥0.6910 150+ ¥0.6475 500+ ¥0.6041 2500+ ¥0.5848	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/ZXMN3B01FTA 型号：ZXMN3B01FTA 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：- 描述：N沟道,30V,2A 数据手册	含增值税 1+ ¥2.7960 10+ ¥2.7240 30+ ¥2.6760 100+ ¥2.6280	整包 3000 个库存：1 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI4464DY-T1-E3 型号：SI4464DY-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOIC-8_150mil 包装：编带描述：N沟道,200V,1.7A,0.24Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥11.8320 10+ ¥11.5200 30+ ¥11.3280 100+ ¥11.1240	整包 2500 个库存：3 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/IRLD014PBF 型号：IRLD014PBF 品牌：VISHAY(威世) 封装：HVMDIP 包装：管装数据手册	含增值税 1+ ¥9.6840 10+ ¥9.4440 30+ ¥9.2760 100+ ¥9.1080	整包 100 个库存：10 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/BSS123N3 型号：BSS123N3 品牌：CYSTECH(全宇昕) 封装：SOT-23 包装：编带描述：100V/1.7A/N沟道数据手册	含增值税 5+ ¥0.6118 50+ ¥0.4518 150+ ¥0.4224 500+ ¥0.3930 2500+ ¥0.3800	整包 2500 个库存：28 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NVR5198NLT1G 型号：NVR5198NLT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道,60V,1.7A,155mΩ@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥2.1240 10+ ¥1.5840 30+ ¥1.4760 100+ ¥1.3800 500+ ¥1.3320	整包 3000 个库存：1,977 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/NTR5198NLT1G 型号：NTR5198NLT1G 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：N沟道，60V，2.2A 数据手册	含增值税 1+ ¥0.9118 10+ ¥0.6700 30+ ¥0.6256 100+ ¥0.5812 500+ ¥0.5614	整包 3000 个库存：2,227 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/FDN335N 型号：FDN335N 品牌：ON(安森美) 封装：SOT-23-3 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥1.2840 10+ ¥0.9600 30+ ¥0.9000 100+ ¥0.8400 500+ ¥0.8160	整包 3000 个库存：3,940 加入购物车提交询价

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