MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

P 沟道 (2)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

4A (2)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

800mV @ 250uA (2)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

2 条记录

	MOS(场效应管)/LP2305DSLT1G 型号：LP2305DSLT1G 品牌：LRC(乐山无线电) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,12V,4A,68mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3750 100+ ¥0.2791 300+ ¥0.2615 1000+ ¥0.2438 5000+ ¥0.2360	整包 3000 个库存：26 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/KIA3415 型号：KIA3415 品牌：KIA 半导体封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,-20V,-4.0A,45mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3415 数据手册	含增值税 5+ ¥0.4756 50+ ¥0.3521 150+ ¥0.3294 500+ ¥0.3067 2500+ ¥0.2966	整包 3000 个库存：3,575 加入购物车提交询价

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