MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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类型：

P 沟道 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

4A (3)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

3 条记录

	MOS(场效应管)/LP2305DSLT1G 型号：LP2305DSLT1G 品牌：LRC(乐山无线电) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,12V,4A,68mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 10+ ¥0.3750 100+ ¥0.2791 300+ ¥0.2615 1000+ ¥0.2438 5000+ ¥0.2360	整包 3000 个库存：26 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/LP2501DT1G 型号：LP2501DT1G 品牌：LRC(乐山无线电) 封装：DFN 2020-6S 包装：编带描述：P沟道,20V,4A,110mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.5272 50+ ¥0.3919 150+ ¥0.3671 500+ ¥0.3422 2500+ ¥0.3312	整包 4000 个库存：163 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/LP3415ELT1G 型号：LP3415ELT1G 品牌：LRC(乐山无线电) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P 沟道,-20V,-4A,60mΩ@-4.5V 数据手册	含增值税 5+ ¥0.6112 50+ ¥0.4549 150+ ¥0.4262 500+ ¥0.3975 2500+ ¥0.3847	整包 3000 个库存：527 加入购物车提交询价

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