MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

15A(Tc) (4)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

2.5V @ 250uA (4)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

4 条记录

	MOS(场效应管)/KIA6410AP 已停产型号：KIA6410AP 品牌：KIA 半导体封装：TO-220(TO-220-3) 包装：盒装描述：N沟道，100V，15A 数据手册		库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/KIA6410AU 停产型号：KIA6410AU 品牌：KIA 半导体封装：TO-251(I-PAK) 包装：管装描述：N沟道，100V，15A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4520 10+ ¥1.0920 30+ ¥1.0200 100+ ¥0.9600 500+ ¥0.9240	整包 75 个库存：2 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/P沟道,30V,15A, 0.01Ω@10V 型号：SW15P03 品牌：Samwin (芯派) 封装：SOP-8 包装：- 数据手册	含增值税 1+ ¥1.1466 10+ ¥0.8359 30+ ¥0.7788 100+ ¥0.7217 500+ ¥0.6964	整包 2500 个库存：28 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/PDD0906 型号：PDD0906 品牌：Potens(博盛半导体) 封装：TO-252 包装：编带描述：N沟道 100V 15A 100mΩ@4.5V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.2600 10+ ¥0.9360 30+ ¥0.8760 100+ ¥0.8160 500+ ¥0.7800	整包 2500 个库存：2,449 加入购物车提交询价

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