MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

2.2A (4)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (4)

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

4 条记录

	MOS(场效应管)/SI2337DS-T1-E3 型号：SI2337DS-T1-E3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：MOSFETP-CH80V2.2ASOT23-3 数据手册	含增值税 1+ ¥6.7320 10+ ¥6.5520 30+ ¥6.4440 100+ ¥6.3240	整包 3000 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/IRFBC20PBF 型号：IRFBC20PBF 品牌：IR 封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,600V,2.2A,4.4Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥5.6040 10+ ¥4.1640 30+ ¥3.9000 100+ ¥3.6360 500+ ¥3.5160	整包 50 片库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CEF02N6G 型号：CEF02N6G 品牌：CET(华瑞) 封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装描述：N沟道,600V,2.2A 数据手册	含增值税 1+ ¥2.2320 10+ ¥1.6680 30+ ¥1.5720 100+ ¥1.4640 500+ ¥1.4160	整包 50 个库存：50 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/SI2337DS-T1-GE3 型号：SI2337DS-T1-GE3 品牌：VISHAY(威世) 封装：SOT-23(SOT-23-3) 包装：编带描述：P沟道,-80V,-2.2A,0.270Ω@-10V 数据手册	含增值税 1+ ¥6.7440 10+ ¥4.9440 30+ ¥4.6200 100+ ¥4.2840 500+ ¥4.1400	整包 3000 片库存：1,974 加入购物车提交询价

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